Instrumentide antistaatilised meetmed
(1) Ühendage väline takisti seeriana MOS -seadme igas sisendis.
(2) Kõiki MOS -seadme erinevaid sisendjuhte ei saa hõljuda ja need tuleks ühendada toitepinna, toite (allika) VSS või toite (äravoolu) VDD -ga vastavalt erinevatele vooluringidele.
(3) CMOS-seadme väljundit (välja arvatud analooglüliti) saab kaablijoonest takisti abil eraldada ja vooluahela saab kahe kiire lülitusdioodiga kinnitada VSS-i või VDD-le.
(4) Pikkade sisendkaablite kasutamisel tuleks kasutada filtreerimisvõrku.
(5) Elektrostaatilise tühjenemise (ESD) tundlike bipolaarsete komponentide sisendil ühendatakse RC -võrk, mis koosneb suure takistusväärtusega takistist, ja kondensaatori mahuga vähemalt 1 0 0PF on väljast ühendatud, et vähendada elektrostaatilise tühjenemise mõju (ESD) mõju. Kui vooluahela omadused on täpsustatud, saab kahte paralleelset dioodi kasutada ka 0,5 V -pinge kinnitamiseks igal polaarsusel, et sisend maapinnale tõmmata.
(6) Prinditud vooluahelatele paigaldatud ESD -tundlike komponentide müügivihjeid otse elektripistikute klemmidele pole lubatud ühendada ilma kaitsevooluta.
(7) Instrumentide ja seadmete liidesed peaksid kasutama ESD tundlikkuse 3. taseme või tundlikke komponente nii palju kui võimalik.
(8) ESD -tundlike vooluringidega ühendatud instrumentide ja seadmete välised elektrilised pistikud peaksid olema varustatud ESD kaitsekorkidega (katted).
(9) Klaviatuurid, juhtpaneelid, käsitsi juhtseadised, lülitid ja ESD -tundlike toodetega ühendatud lukustusseadmed peaksid olema kavandatud selleks, et otsene staatiline laeng inimkehale tühjendada šassii maapealsest traadist.
(10) Komponendid ja hübriidskeemid tuleks korraldada nii, et ESD tundlikud komponendid hoiaksid komponentidest, mis genereerivad elektrostaatilisi väljasid, näiteks väljalaskeventilaatorit, ning vajadusel tuleks kasutada elektrostaatilist supressioonitehnoloogiat ja elektrostaatilist varjestustehnoloogiat.
(11) ESD tundlikud tooted peaksid olema varustatud maapinnaga ühendatud maapealsete klemmidega või laevade, kosmoselaevade, rakettide ja rakettide metallkestadega.
(12) Kui šassii kest on kattunud, isegi kui kattuvus on 0. 1Ω, kui tühjendusvool on 30A, on kattumisel 3 V -pinge, see tähendab, et erinevate vooluahelate võrdluspotentsiaal erineb 3 V võrra. Lahendus on kasutada ühepunktilisi maandusi ja vältida kattumist nii palju kui võimalik.