Staatilise elektri kahjulik mõju
Staatilise elektri kahjulik mõju elektroonikatööstusele avaldub peamiselt järgmistel kolmel viisil: tolmu adsorptsioon, elektrostaatiline eritis ja elektrostaatiline induktsioon.
(1) tolmu adsorptsioon
Elektrostaatiline adsorptsiooniefekt tolmule mõne kuni kümne mikroniga on ilmne. Tolmul on suur mõju mikroelektroonika tootmisele. Kaasaegse mikroelektroonika tootmisel on kiibi joone laius jõudnud 0. 1 mikron. Mitme kiibil adsorbeeritud mikroni läbimõõduga tolmuosake võib vähendada isolatsiooni tugevust enam kui tosina tuuma juhtme vahel, põhjustades lühise ja kiibikahjustuse.
(2) Elektrostaatiline tühjendus (ESD)
Elektrostaatiline tühjendus võib põhjustada integreeritud vooluahela kiibi dielektriku lagunemist, südamiku traadi sulandumist, vananemist suurendada ja kiirendada lekkevool ning elektrilise jõudluse parameetrid muutuvad. Elektrostaatiline tühjendamine võib kahjustada kiibi ja aeglast riket, mis on kahjulikum.
(3) elektrostaatiline induktsioon
Elektrostaatilisel induktsioonil ei ole mitte ainult elektrostaatilise tühjenemise kahjulik mõju, vaid võib põhjustada ka arvutite ja madala taseme digitaalsete vooluahelate laiuse häirete tõttu või põhjustada instrumendi (meeter) rikkeid.